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全隔離CAN收發(fā)芯片
SM1500(全隔離、高耐壓、小封裝、高性能全隔離CAN收發(fā)芯片)
全隔離485收發(fā)芯片
SM4500(全隔離、高耐壓、小封裝、高性能全隔離485收發(fā)芯片)
微功率電源芯片
P0505FT-1W(隔離、高效、小巧、可靠微功率電源芯片)
全隔離協(xié)議轉(zhuǎn)換芯片
CSM330A(全隔離、國產(chǎn)化、高數(shù)據(jù)流量UART/SPI轉(zhuǎn)CAN芯片)

怎樣用最小的代價(jià)降低MOS的失效率?

問題分析

上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路,由于寄生電感的存在,在高端MOS關(guān)閉后,低端MOS的體二極管鉗位之前,寄生電感通過低端二極管進(jìn)行續(xù)流,導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓,且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負(fù)壓會(huì)把驅(qū)動(dòng)的電位拉到負(fù)電位,導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路異常,還可能讓自舉電容過充電導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路或者柵極損壞。由于IC的驅(qū)動(dòng)端通常都有寄生二極管,當(dāng)瞬間的大電流流過驅(qū)動(dòng)口的二極管時(shí),很可能引發(fā)寄生SCR閉鎖效應(yīng),導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路徹底損壞。

解決方法

如上圖所示,在自舉驅(qū)動(dòng)芯片VS端與Q1的源極之間增加一個(gè)電阻Rvs,該電阻不僅是自舉限流電阻,同時(shí)還是導(dǎo)通電阻和關(guān)斷電阻。由于占空比受自舉電容影響,該電阻值一般不能取得較大,推薦值為3~10Ω較為適宜。電阻和自舉電容的容值與其充電時(shí)間可以由以下公式得出:

其中C是自舉電容容值,D為最大占空比。

致遠(yuǎn)電子的PV系列光伏電源,內(nèi)部的MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù)就幫助此款產(chǎn)品解決了很多高端MOS的疑難怪癥,最終成就了產(chǎn)品的高可靠性。200~1200VDC超寬輸入電壓范圍,長壽命、高效率、低紋波噪聲、高可靠性等特點(diǎn)。

其它注意事項(xiàng)

對(duì)于減小高端MOS驅(qū)動(dòng)的寄生振蕩,除通過增加驅(qū)動(dòng)端的電阻發(fā)揮作用外,在印制電路板的設(shè)計(jì)中,還可注意以下一些細(xì)節(jié),將寄生振蕩降到最低。如:自舉二極管應(yīng)緊靠自舉電容,功率布線盡量短且走線圓滑,直插器件應(yīng)緊貼PCB以減小寄生電感等。怎么樣?趕快試試吧!